MJ15012和MJ15012G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJ15012 MJ15012G

描述 10 AMPERE COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS 250 VOLTS 200W互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistors

数据手册 --

制造商 Motorola (摩托罗拉) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

封装 - TO-3

引脚数 - 3

耗散功率 - -

最小电流放大倍数(hFE) - -

工作温度(Max) - 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

极性 - PNP

击穿电压(集电极-发射极) - 250 V

集电极最大允许电流 - 10A

耗散功率(Max) - 200000 mW

长度 - -

宽度 - -

高度 - -

封装 - TO-3

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tray

RoHS标准 -

含铅标准 - Lead Free

材质 - Silicon

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