BUK761R5-40EJ和IPB015N04NGATMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK761R5-40EJ IPB015N04NGATMA1

描述 D2PAK N-CH 40V 120AIPB015N04NGATMA1 编带

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 - 250 W

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 349W (Tc) 250 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 120A 120A

上升时间 - 10 ns

输入电容(Ciss) 11340pF @25V(Vds) 15000pF @20V(Vds)

下降时间 - 13 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 349W (Tc) 250000 mW

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台