FQD1N60C和FQD1N60TF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD1N60C FQD1N60TF SSR1N60BTM

描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETN沟道 600V 1AN沟道 600V 900mA

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

漏源极电阻 - 11.5 Ω 12.0 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 - 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 - 600 V 600 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 1A 1.00 A 900 mA

上升时间 - - 45 ns

输入电容(Ciss) - 150pF @25V(Vds) 215pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

下降时间 - - 35 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc)

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 1.00 A -

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.39 mm

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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