对比图
型号 IPP080N06NG STP60N3LH5 SPP80N06S-08
描述 的OptiMOS ™功率三极管特点为快速开关应用低栅极电荷 OptiMOS™ Power-Transistor Features Low gate charge for fast switching applicationsN沟道30 V ， 0.0072 Ω ， 48采用DPAK ， IPAK ， TO- 220的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO-220 STripFET™ V Power MOSFETSIPMOS㈢功率三极管 SIPMOS㈢ Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 晶体管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - 7.2 mΩ 6.5 mΩ
耗散功率 - 60 W 300 W
阈值电压 - 3 V 2.1 V
漏源极电压(Vds) 60.0 V 30 V 55 V
漏源击穿电压 - 30 V 55 V
上升时间 - 33 ns 53 ns
输入电容(Ciss) - 1350pF @25V(Vds) 3660pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 60 W 300 W
下降时间 - 4.2 ns 32 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) - 60W (Tc) 300000 mW
额定电压(DC) 60.0 V - 55.0 V
额定电流 80.0 A - 80.0 A
极性 - - N-CH
输入电容 3.50 nF - 3.66 nF
栅电荷 93.0 nC - 187 nC
连续漏极电流(Ids) 80.0 A - 80.0 A
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
长度 - - 10 mm
宽度 - - 4.4 mm
高度 - - 15.65 mm
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead