BZX79-C51和BZX79-C51,113

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX79-C51 BZX79-C51,113 PBHV8115T,215

描述 NXP  BZX79-C51  单管二极管 齐纳, 51 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °CNXP  BZX79-C51,113  单管二极管 齐纳, 51 V, 400 mW, DO-204AH, 5 %, 2 引脚, 200 °CNXP  PBHV8115T,215  单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 2 2 3

封装 DO-35 DO-204AH SOT-23-3

频率 - - 30 MHz

针脚数 2 2 3

极性 - - NPN

耗散功率 500 mW 400 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) - - 150 V

集电极最大允许电流 - - 1A

最小电流放大倍数(hFE) - - 50 @500mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - - 100 @50mA, 10V

额定功率(Max) - 400 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - - 250

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW - 300 mW

容差 - ±5 % -

正向电压 - 900mV @10mA -

测试电流 2 mA 2 mA -

稳压值 51 V 51 V -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

高度 1.85 mm - 1 mm

封装 DO-35 DO-204AH SOT-23-3

长度 4.25 mm - -

宽度 1.85 mm - -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ 150℃ (TJ)

温度系数 46.9 mV/℃ 46.9 mV/K -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - ECL99 -

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