BD680和MJE702G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD680 MJE702G BD680AS

描述 PNP 复合晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。ON SEMICONDUCTOR  MJE702G  双极晶体管FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD680AS  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 14 W, -4 A, 750 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V

额定电流 -4.00 A -4.00 A -4.00 A

针脚数 3 3 3

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

耗散功率 40 W 40 W 14 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 750 @1.5A, 3V 750 @1.5A, 3V 750 @2A, 3V

额定功率(Max) 40 W 40 W 14 W

直流电流增益(hFE) 750 750 750

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 40000 mW 14000 mW

无卤素状态 - Halogen Free -

集电极最大允许电流 - 4A 4A

长度 7.8 mm 7.74 mm -

宽度 2.7 mm 2.66 mm -

高度 10.8 mm 11.04 mm 11.2 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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