对比图
型号 LM358D LM358M/NOPB LM358DR2G
描述 TEXAS INSTRUMENTS LM358D 芯片, 运算放大器, 700KHZ, 0.3V/US, SOIC-8TEXAS INSTRUMENTS LM358M/NOPB 运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.1 V/µs, 3V 至 32V, SOIC, 8 引脚ON SEMICONDUCTOR LM358DR2G. 运算放大器
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
输出电流 30mA @15V 40mA @15V 40 mA
供电电流 1 mA 1 mA 1.5 mA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
针脚数 8 8 8
耗散功率 - 0.53 W -
共模抑制比 65 dB 65 dB 70 dB
输入补偿漂移 7.00 µV/K 7.00 µV/K -
带宽 700 kHz 1 MHz 1 MHz
转换速率 300 mV/μs 100 mV/μs 600 mV/μs
增益频宽积 700 kHz 1 MHz 1 MHz
输入补偿电压 3 mV 2 mV 2 mV
输入偏置电流 20 nA 45 nA 45 nA
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
增益带宽 0.7 MHz 1 MHz 1 MHz
耗散功率(Max) - 530 mW -
共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB
电源电压 - 3V ~ 32V 3V ~ 32V
电源电压(Max) - 32 V 32 V
电源电压(Min) - 3 V 3 V
工作电压 3V ~ 32V - 3V ~ 32V
无卤素状态 - - Halogen Free
输入电压 - - 0V ~ 28.3V
长度 4.9 mm 4.9 mm 5 mm
宽度 3.91 mm 3.9 mm 4 mm
高度 1.58 mm 1.45 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
香港进出口证 NLR - -
ECCN代码 - - EAR99