对比图
型号 IRF530 IRF531 IRF520NPBF
描述 N沟道增强型功率MOS晶体管 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORSN-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy RatedN 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Harris Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 - - 3
封装 TO-220-3 - TO-220-3
额定功率 - - 48 W
针脚数 - - 3
漏源极电阻 180 mΩ - 0.2 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 60W (Tc) - 48 W
阈值电压 - - 4 V
输入电容 - - 330pF @25V
漏源极电压(Vds) 100 V - 100 V
漏源击穿电压 100 V - 100 V
连续漏极电流(Ids) 14.0 A - 9.7A
上升时间 25.0 ns - 23 ns
输入电容(Ciss) 458pF @25V(Vds) - 330pF @25V(Vds)
下降时间 - - 23 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) 60W (Tc) - 48W (Tc)
额定电压(DC) 100 V - -
额定电流 14.0 A - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
长度 - - 10.54 mm
宽度 - - 4.69 mm
高度 - - 8.77 mm
封装 TO-220-3 - TO-220-3
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17