BC857BS,115和BC857CDW1T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC857BS,115 BC857CDW1T1G BC857BS-7-F

描述 NXP  BC857BS,115  双极晶体管阵列, 双PNP, -45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SOT-363ON SEMICONDUCTOR  BC857CDW1T1G  单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -45 V, 100 MHz, 380 mW, -100 mA, 270 hFE三极管

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSSOP-6 SC-70-6 SOT-363-6

频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz

额定功率 - - 0.2 W

针脚数 6 6 6

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 200 mW 380 mW 200 mW

增益频宽积 - 100 MHz 100 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW 380 mW 200 mW

直流电流增益(hFE) 200 270 220

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -50 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 380 mW 200 mW

最大电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V - -

额定电压(DC) - -45.0 V -

额定电流 - -100 mA -

工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -

长度 2.2 mm 2.2 mm 2.2 mm

宽度 1.35 mm 1.35 mm 1.35 mm

高度 1 mm 1.1 mm 1 mm

封装 TSSOP-6 SC-70-6 SOT-363-6

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

军工级 - - Yes

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -

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