JANTX2N6676和JANTXV2N6676

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N6676 JANTXV2N6676 JAN2N6676

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-3 TO-3 TO-204

封装 TO-3 TO-3 TO-204

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - Bulk

香港进出口证 - NLR -

击穿电压(集电极-发射极) - - 300 V

最小电流放大倍数(hFE) - - 15 @1A, 3V

额定功率(Max) - - 6 W

工作温度 - - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 - -

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