JAN2N2907A和JANTX2N2907AL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N2907A JANTX2N2907AL 2N2907A

描述 PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTORPNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR抗辐射 RADIATION HARDENED

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-18-3 TO-18 TO-18-3

耗散功率 0.5 W 0.5 W 500 mW

输入电容 30 pF - -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

封装 TO-18-3 TO-18 TO-18-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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