对比图
型号 FDN361BN IRLML2030TRPBF NVTR4503NT1G
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN361BN 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 0.092 ohm, 10 V, 2.1 VINFINEON IRLML2030TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 1.7 VN 通道功率 MOSFET，30V，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
通道数 - - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.092 Ω 0.08 Ω 0.085 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 500 mW 1.3 W 730 mW
阈值电压 2.1 V 1.7 V 1.75 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 1.40 A 2.7A 2A
输入电容(Ciss) 193pF @15V(Vds) 110pF @15V(Vds) 135pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 460 mW 1.3 W 420 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500mW (Ta) 1.3W (Ta) 420mW (Ta)
漏源击穿电压 30.0 V - -
上升时间 8 ns 3.3 ns -
下降时间 2 ns 2.9 ns -
额定功率 - 1.3 W -
输入电容 - 110 pF -
长度 1.4 mm 3.04 mm 3.04 mm
宽度 2.92 mm 1.4 mm 1.4 mm
高度 0.94 mm 1.02 mm 1.01 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99