BLF6G20-110,112和BLF6G20LS-75,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF6G20-110,112 BLF6G20LS-75,118 BLF6G20LS-110,112

描述 Trans RF MOSFET N-CH 65V 29A 3Pin SOT-502A BulkTrans RF MOSFET N-CH 65V 18A 3Pin SOT-502B T/RTrans RF MOSFET N-CH 65V 29A 3Pin SOT-502B Bulk

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

封装 SOT-502 SOT-502-3 SOT-502-3

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

频率 1.93GHz ~ 1.99GHz - 1.93GHz ~ 1.99GHz

额定电流 29 A - 29 A

输出功率 25 W - 25 W

增益 19 dB - 19 dB

测试电流 900 mA - 900 mA

漏源极电阻 - 235 mΩ 160 mΩ

阈值电压 - - 2 V

漏源击穿电压 - 65 V 65 V

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 65 ℃ 65 ℃

封装 SOT-502 SOT-502-3 SOT-502-3

长度 - 20.7 mm 20.7 mm

宽度 - 9.91 mm 9.91 mm

高度 - 4.72 mm 4.72 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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