对比图
型号 FDS4935A IRF7313TRPBF SI4943BDY-T1-E3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4935A 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -7 A, -30 V, 23 mohm, -10 V, -1.6 VINFINEON IRF7313TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V双P通道20 - V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
漏源极电阻 23 mΩ 0.023 Ω 19 mΩ
极性 P-Channel, Dual P-Channel N-CH Dual P-Channel
耗散功率 1.6 W 2 W 2 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 7.00 A 6.5A -8.40 A
上升时间 10 ns 8.9 ns 10 ns
反向恢复时间 - - 55 ns
正向电压(Max) - - 1.2 V
额定功率(Max) 900 mW 2 W 1.1 W
下降时间 25 ns 17 ns 60 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温 - - -55℃ ~ 150℃
耗散功率(Max) 2 W 2 W 2000 mW
额定电压(DC) -30.0 V - -
额定电流 -7.00 A - -
额定功率 1.6 W 2 W -
通道数 2 2 -
针脚数 8 8 -
输入电容 1.23 nF 650 pF -
栅电荷 15.0 nC - -
漏源击穿电压 30 V 30 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
输入电容(Ciss) 1233pF @15V(Vds) 650pF @25V(Vds) -
阈值电压 - 1 V -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 5 mm 5 mm -
宽度 3.9 mm 4 mm -
高度 1.5 mm 1.5 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - - 2500
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -