NTD4302T4和NTD4302T4G

对比图

型号 NTD4302T4 NTD4302T4G NTD4302G

描述 功率MOSFET 68安培， 30伏特（ N沟道DPAK ） Power MOSFET 68 Amps, 30 Volts(N−Channel DPAK)ON SEMICONDUCTOR  NTD4302T4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 1.9 V 新功率MOSFET 68 A， 30 V ，NA ????频道DPAK Power MOSFET 68 A, 30 V, N−Channel DPAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 68.0 A 68.0 A 68.0 A

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 7.80 mΩ 0.0078 Ω 7.8 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.04W (Ta), 75W (Tc) 75 W 75 W

阈值电压 - 1.9 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 68.0 A 18.5 A 68.0 A

上升时间 15.0 ns 15.0 ns -

输入电容(Ciss) 2400pF @24V(Vds) 2400pF @24V(Vds) 2400pF @24V(Vds)

额定功率(Max) - 1.04 W 1.04 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 1.04W (Ta), 75W (Tc) 1.04W (Ta), 75W (Tc) 1.04W (Ta), 75W (Tc)

通道数 - - 1

输入电容 - - 2.40 nF

栅电荷 - - 80.0 nC

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.38 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99