对比图
描述 TO-3PN NPN 800V 4ASTMICROELECTRONICS BUL216 单晶体管 双极, NPN, 800 V, 90 W, 2 A, 40 hFE
数据手册 --
制造商 Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 800 V
额定电流 - 4.00 A
针脚数 - 3
极性 NPN NPN
耗散功率 - 90 W
击穿电压(集电极-发射极) 800 V 800 V
集电极最大允许电流 4A 4A
最小电流放大倍数(hFE) - 12 @400mA, 5V
最大电流放大倍数(hFE) - 40
额定功率(Max) - 90 W
直流电流增益(hFE) - 40
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 9000 mW
长度 - 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm
高度 - 9.15 mm
封装 TO-3 TO-220-3
工作温度 - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC