STMICROELECTRONICS BUL216 单晶体管 双极, NPN, 800 V, 90 W, 2 A, 40 hFE
高电压,STMicroelectronics
### 双极晶体管,STMicroelectronics
STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP ,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
立创商城:
NPN 800V 4A
得捷:
TRANS NPN 800V 4A TO220
欧时:
STMicroelectronics BUL216 , NPN 晶体管, 4 A, Vce=800 V, HFE:10, 3引脚 TO-220封装
e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 800 V, 90 W, 2 A, 40 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Jameco:
Transistor General Purpose BJT NPN 800 Volt 4 Amp 3-Pin 3+ Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans GP BJT NPN 800V 4A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
BUL216 Series NPN 800 V 4 A Fast-Switching Power Transistor - TO-220
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 800V 4A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 800 V, 90 W, 4 A, 40 hFE
Win Source:
TRANS NPN 800V 4A TO-220
额定电压DC 800 V
额定电流 4.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 90 W
击穿电压集电极-发射极 800 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 12 @400mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 40
额定功率Max 90 W
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 9000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Lighting, 照明, Lighting, Power Management, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
BUL216 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SC3657 东芝 | 功能相似 | BUL216和2SC3657的区别 |