CY7C1021B-12VI和CY7C1021BN-12VXI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1021B-12VI CY7C1021BN-12VXI 71016S12YGI

描述 1兆位( 64K ×16 )静态RAM 1-Mbit (64K x 16) Static RAM1兆位( 64K ×16 )静态RAM 1-Mbit (64K x 16) Static RAMSRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 64K x 16 12ns 44Pin SOJ Tray

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 SOJ BSOJ-44 SOJ

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) -

时钟频率 - 12.0 GHz -

存取时间 - 12.0 ns -

内存容量 - 1000000 B -

电源电压 5 V 4.5V ~ 5.5V -

封装 SOJ BSOJ-44 SOJ

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Tube, Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 3A991.b.2 - -

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