对比图
型号 DMG8601UFG-7 ZXMHC10A07N8TC ZXMHC3F381N8TC
描述 双N沟道(共漏) 20V 6.1ATrans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.85A Automotive 8Pin SO T/RZXMHC3F381N8TC 编带
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 UDFN-8 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 - - 8
漏源极电阻 - - 0.033 Ω
极性 N-CH N+P N-Channel, P-Channel
耗散功率 - 1.36 W 870 mW
阈值电压 - - 1 V
漏源极电压(Vds) 20 V 100 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 6.1A 1A/0.85A 4.98A/4.13A
输入电容(Ciss) 143pF @10V(Vds) 138pF @60V(Vds) 430pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 920 mW 870 mW 870 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 920 mW 1360 mW 1350 mW
输入电容 143 pF - -
上升时间 78 ns 1.5 ns -
下降时间 234 ns 2.1 ns -
封装 UDFN-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99