BC858B和BC858BE6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC858B BC858BE6327 BC858A

描述 NXP  BC858B  单晶体管 双极, 通用, PNP, 30 V, 250 mW, 100 mA, 220 hFESOT-23 PNP 30V 0.1ATransistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

耗散功率 250 mW 330 mW 250 mW

增益频宽积 - - 100 MHz

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 250 mW 330 mW 250 mW

针脚数 3 - -

极性 PNP PNP -

最小电流放大倍数(hFE) 220 - -

直流电流增益(hFE) 220 - -

频率 - 250 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) - 30 V -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

长度 3 mm - -

宽度 1.4 mm - -

高度 1 mm - -

材质 - - Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown End of Life Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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