KSH350和MJD350G

对比图

型号 KSH350 MJD350G MJD350T4

描述 高电压功率晶体管D- PAK表面贴装应用 High Voltage Power Transistors D-PAK for Surface Mount ApplicationsON SEMICONDUCTOR  MJD350G  双极晶体管SILICON POWER TRANSISTORS 0.5 AMPERE 300 VOLTS 15W

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 DPAK TO-252-3 -

额定电压(DC) - -300 V -

额定电流 - -500 mA -

针脚数 - 4 -

极性 PNP PNP, P-Channel -

耗散功率 - 1.56 W -

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V -

热阻 - 8.33℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @50mA, 10V -

额定功率(Max) - 1.56 W -

直流电流增益(hFE) - 240 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1560 mW -

长度 - 6.73 mm -

高度 - 2.38 mm -

封装 DPAK TO-252-3 -

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -