STB270N04和STI270N4F3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STB270N04 STI270N4F3 BUK9E2R3-40E,127

描述 N沟道40V - 2.1米欧姆 - 160A - TO- 220 - D- 2PAK - I- 2PAK的STripFET -TM功率MOSFET N-CHANNEL 40V - 2.1m-ohm - 160A - TO-220 - D-2PAK - I-2PAK STripFET-TM Power MOSFETN 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsI2PAK N-CH 40V 120A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 - TO-262-3 TO-262-3

引脚数 - 3 -

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 - 330 W 293W (Tc)

漏源极电压(Vds) - 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) - 80.0 A 120A

输入电容(Ciss) - 7400pF @25V(Vds) 13160pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 293 W

耗散功率(Max) - 330W (Tc) 293W (Tc)

漏源极电阻 - 0.0021 Ω -

阈值电压 - 4 V -

上升时间 - 180 ns -

下降时间 - 45 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 - TO-262-3 TO-262-3

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 10.75 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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