TIP35C和TIP35CG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TIP35C TIP35CG BD249C-S

描述 其他芯片高?功率晶体管 Complementary Silicon High?Power TransistorsON SEMICONDUCTOR  TIP35CG.  射频双极晶体管SOT-93 NPN 100V 25A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Bourns J.W. Miller (伯恩斯)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-218-3 TO-247-3 TO-218-3

频率 - 3 MHz -

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 25.0 A 25.0 A -

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 125 W 125 W -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

热阻 - 1℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 25A 25A 25A

最小电流放大倍数(hFE) 15 @15A, 4V 15 @15A, 4V 25 @1.5A, 4V|10 @15A, 4V|5 @25A, 4V

额定功率(Max) 125 W 125 W 3 W

直流电流增益(hFE) - 15 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 125000 mW 125000 mW

最大电流放大倍数(hFE) 75 - -

长度 15.2 mm 15.2 mm -

宽度 4.9 mm 4.9 mm -

封装 TO-218-3 TO-247-3 TO-218-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tube Tube -

最小包装 30 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台