对比图
型号 IRFR110PBF IRFU110PBF IRFR120ZPBF
描述 N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorVISHAY IRFU110PBF. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 4.3A, IPAKINFINEON IRFR120ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 100 V, 190 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252 TO-251 TO-252-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.54 Ω 0.54 Ω 0.19 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 25 W 25 W 35 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 4.30 A 4.30 A 8.7A
上升时间 16.0 ns 16 ns 26 ns
输入电容(Ciss) 180pF @25V(Vds) 180pF @25V(Vds) 310pF @25V(Vds)
下降时间 - 9.4 ns 23 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5 W 25000 mW 35W (Tc)
额定功率 25 W - 35 W
额定电压(DC) 100 V - -
额定电流 4.70 A - -
输入电容 180pF @25V - -
漏源击穿电压 100 V - -
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 2.38 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 6.22 mm 2.39 mm
封装 TO-252 TO-251 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
包装方式 Tube Tube Tube
产品生命周期 - - Not Recommended for New Designs
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17