对比图
型号 IRF5210SPBF NTB25P06T4G IRF5210STRLPBF
描述 场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 40A D2-PAKP 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorINFINEON IRF5210STRLPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 40A D2-PAK, 整卷
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.06 Ω 0.07 Ω 0.06 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-CH
耗散功率 3.1 W 120 W 3.8 W
产品系列 IRF5210S - -
阈值电压 4 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 60 V 100 V
漏源击穿电压 -100 V - 100 V
连续漏极电流(Ids) -40.0 A 27.5 A 38A
输入电容(Ciss) 2780pF @25V(Vds) 1680pF @25V(Vds) 2780pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.1 W 120 W 3.1 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
额定功率 - - 3.8 W
通道数 - 1 1
上升时间 - 72 ns 63 ns
下降时间 - 190 ns 55 ns
耗散功率(Max) - 120 W 3.1W (Ta), 170W (Tc)
额定电压(DC) - -60.0 V -
额定电流 - -25.0 A -
栅源击穿电压 - ±15.0 V -
长度 10.67 mm 10.29 mm 10.67 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
宽度 - 9.65 mm 9.65 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -