BSP223和SPN01N60C3

对比图

型号 BSP223 SPN01N60C3 SPN01N60S5

描述 SIPMOS小信号晶体管 SIPMOS Small-Signal Transistor新的革命高电压技术，超低栅极电荷至尊的dv / dt评分 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated酷MOS功率三极管 Cool MOS Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-223 SOT-223-4 SOT-223

额定电压(DC) - 650 V -

额定电流 - 300 mA -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 - 1.8 W -

输入电容 - 100 pF -

栅电荷 - 5.00 nC -

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 0.38A 300 mA 0.3A

上升时间 - 30 ns -

输入电容(Ciss) - 100pF @25V(Vds) -

下降时间 - 30 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 1.8W (Ta) -

长度 - 6.5 mm -

宽度 - 3.5 mm -

高度 - 1.6 mm -

封装 SOT-223 SOT-223-4 SOT-223

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead -