新的革命高电压技术，超低栅极电荷至尊的dv / dt评分 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated
表面贴装型 N 通道 650 V 300mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
得捷:
MOSFET N-CH 650V 300MA SOT223-4
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 300mA SOT-223-3
Win Source:
Cool MOS Power Transistor
额定电压DC 650 V
额定电流 300 mA
极性 N-Channel
耗散功率 1.8 W
输入电容 100 pF
栅电荷 5.00 nC
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 300 mA
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 100pF @25VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.8W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-223-4
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-223-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPN01N60C3 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPN01N60S5 英飞凌 | 功能相似 | SPN01N60C3和SPN01N60S5的区别 |
BSP223 英飞凌 | 功能相似 | SPN01N60C3和BSP223的区别 |