对比图
型号 IRF1010EPBF STP60NF06L 2SK3354-AZ
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1010EPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 60V, 84A TO-220AB 新N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 83A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -
额定电流 84.0 A 60.0 A -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 12 mΩ 0.014 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 200 W 110 W 1.5 W
产品系列 IRF1010E - -
阈值电压 4 V 1 V -
输入电容 3210pF @25V - -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V 60.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±15.0 V -
连续漏极电流(Ids) 84.0 A 60.0 A -
上升时间 78.0 ns 220 ns 1500 ns
输入电容(Ciss) 3210pF @25V(Vds) 2000pF @25V(Vds) 6300pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 200 W 110 W -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
下降时间 - 30 ns 440 ns
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 1500 mW
长度 10.67 mm 10.4 mm -
高度 16.51 mm 9.15 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
宽度 - 4.6 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/12/17 - -
ECCN代码 - EAR99 -