FDPF16N50和SIHF16N50C-E3

对比图

型号 FDPF16N50 SIHF16N50C-E3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDPF16N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 500 V, 380 mohm, 10 V, 5 VVISHAY  SIHF16N50C-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 500 V, 0.31 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220

针脚数 3 3

漏源极电阻 380 mΩ 0.31 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 38.5 W 38 W

阈值电压 5 V 3 V

输入电容 1.94 nF -

栅电荷 45.0 nC -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 16.0 A -

上升时间 150 ns 156 ns

输入电容(Ciss) 1945pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 38.5 W -

下降时间 80 ns 31 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 38.5 W -

长度 10.16 mm -

宽度 4.7 mm -

高度 15.87 mm -

封装 TO-220-3 TO-220

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active -

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 -