BC858ALT1和BC858ALT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC858ALT1 BC858ALT1G BC858AWT1G

描述 通用晶体管 General Purpose TransistorsON SEMICONDUCTOR  BC858ALT1G  单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 90 hFE单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 125 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SC-70-3

频率 - 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -30.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

针脚数 - 3 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 225 mW 225 mW 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 125 @2mA, 5V 125 125 @2mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 150 mW

直流电流增益(hFE) - 90 125

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 150 mW

增益频宽积 100 MHz - -

长度 2.9 mm 3.04 mm -

宽度 1.3 mm 2.64 mm -

高度 0.94 mm 1.11 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SC-70-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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