对比图
描述 Power MosfetsTEMPFET （ N沟道逻辑电平增强模式，温度传感器晶闸管特性） TEMPFET(N channel Logic level Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)TEMPFET （N沟道增强型温度传感器晶闸管特性） TEMPFET(N-channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 100 V 100 V
额定电流 - 22.0 A 10.0 A
漏源极电压(Vds) - 100 V 100 V
上升时间 - 110 ns 45 ns
输入电容(Ciss) - 1500pF @25V(Vds) 600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 95 W 40 W
下降时间 - 100 ns 55 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 95000 mW 40000 mW
耗散功率 - - 40 W
输入电容 - - 600 pF
连续漏极电流(Ids) - - 10.0 A
长度 - 15.4 mm 10 mm
封装 - TO-220-3 TO-220-3
宽度 - - 4.4 mm
高度 - - 15.65 mm
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Lead Free Contains Lead