对比图
型号 BQ4011YMA-100 DS1230AB-100+
描述 32Kx8非易失SRAM 32Kx8 Nonvolatile SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230AB-100+ 芯片, 存储器, NVRAM
数据手册 --
制造商 TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信)
分类 存储芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 28 28
封装 DIP-28 EDIP-28
电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V, 5.25 V (max)
针脚数 - 28
时钟频率 100 GHz 100 GHz
存取时间 100 ns 100 ns
内存容量 32000 B 32000 B
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V
电源电压(Max) - 5.25 V
电源电压(Min) - 4.75 V
供电电流 50 mA -
存取时间(Max) 100 ns -
长度 - 39.12 mm
宽度 - 18.8 mm
高度 9.53 mm 9.4 mm
封装 DIP-28 EDIP-28
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Obsolete Unknown
包装方式 Tube Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free