MUN5233T1和MUN5233T1G

对比图

型号 MUN5233T1 MUN5233T1G BCR116W

描述 NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORSON SEMICONDUCTOR  MUN5233T1G.  晶体管, 带电阻, 50V, 47K/4.7KΩ, SOT323NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Siemens Semiconductor (西门子)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 SC-70-3 SC-70-3 -

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

极性 NPN NPN -

耗散功率 202 mW 0.31 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) 80 80 @5mA, 10V -

额定功率(Max) - 202 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 310 mW 310 mW -

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

封装 SC-70-3 SC-70-3 -

长度 2.1 mm - -

宽度 1.24 mm - -

高度 0.85 mm - -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -