IRF6616和IRF6616TRPBF的区别_IRF6616代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF6616 IRF6616TRPBF IRF6616PBF

描述 Direct-FET N-CH 100V 59AINFINEON IRF6616TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 106 A, 40 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1.8 V 新Direct-FET N-CH 100V 59A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 Direct-FET Direct-FET Direct-FET

引脚数 - 7 -

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 19.0 A - -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 2.8W (Ta), 89W (Tc) 89 W -

产品系列 IRF6616 - -

漏源极电压(Vds) 30 V 40 V 100 V

漏源击穿电压 40.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 19.0 A 19A 59A

上升时间 19.0 ns 19 ns -

输入电容(Ciss) 3765pF @20V(Vds) 3765pF @20V(Vds) -

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) -

额定功率 - 89 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 7 -

漏源极电阻 - 0.0037 Ω -

阈值电压 - 1.8 V -

输入电容 - 3765 pF -

下降时间 - 4.4 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

封装 Direct-FET Direct-FET Direct-FET

长度 - 5.45 m -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -