NTTFS5820NLTAG和NTTFS5820NLTWG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTTFS5820NLTAG NTTFS5820NLTWG BSZ110N06NS3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  NTTFS5820NLTAG  晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 60 V, 0.0101 ohm, 10 V, 1.5 VMOSFET 晶体管,ON Semiconductor60V,11mΩ,20A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 WDFN-8 WDFN-8 -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.0101 Ω 10.1 mΩ -

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 33 W 2.7 W -

阈值电压 1.5 V 1.5V ~ 2.3V -

输入电容 1462 pF - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) 11A 11A -

上升时间 28 ns 28 ns -

输入电容(Ciss) 1462pF @25V(Vds) 1462pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 2.7 W - -

下降时间 22 ns 22 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.7W (Ta), 33W (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc) -

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 60 V -

长度 3.15 mm 3.15 mm -

宽度 3.15 mm 3.15 mm -

高度 0.8 mm 0.8 mm -

封装 WDFN-8 WDFN-8 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20 - -

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