对比图
型号 BLS6G3135-20 BLS6G3135-120,112 BLS6G3135-20,112
描述 LDMOS S波段雷达功率晶体管 LDMOS S-Band radar power transistorNXP BLS6G3135-120,112 RF FET Transistor, 32V, 7.2A, 120W, 3.1GHz, 3.5GHz, SOT-502BNXP BLS6G3135-20,112 RF FET Transistor, 32V, 2.1A, 20W, 3.1GHz, 3.5GHz, SOT-608B
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 晶体管晶体管晶体管
引脚数 3 2 2
封装 SOT-608 SOT-502 SOT-608
安装方式 Surface Mount - Screw
耗散功率 - 120 W 20 W
漏源极电压(Vds) - 32 V 32 V
工作温度(Max) 150 ℃ 225 ℃ 225 ℃
漏源极电阻 580 mΩ - -
阈值电压 2 V - -
漏源击穿电压 60 V - -
上升时间 20 ns - -
输出功率 20 W - -
增益 15.5 dB - -
下降时间 10 ns - -
工作温度(Min) 65 ℃ - -
封装 SOT-608 SOT-502 SOT-608
长度 20.45 mm - -
宽度 10.29 mm - -
高度 4.62 mm - -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tray - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -