对比图
型号 IPD65R1K4CFDATMA1 IPD65R380C6BTMA1 IPD65R1K4CFDBTMA1
描述 DPAK N-CH 650V 2.8AIPD65R380C6BTMA1 编带DPAK N-CH 700V 2.8A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 - 83 W 28.4 W
通道数 - - 1
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 28.4W (Tc) 83 W 28.4 W
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 700 V
连续漏极电流(Ids) 2.8A 10.6A 2.8A
上升时间 6 ns 12 ns 6 ns
输入电容(Ciss) 262pF @100V(Vds) 710pF @100V(Vds) 262pF @100V(Vds)
下降时间 18.2 ns 11 ns 18.2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 28.4W (Tc) 83W (Tc) 28.4W (Tc)
长度 - - 6.5 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - - 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 -