对比图
型号 MRF6V2150NBR5 MRF6V2150NR1 MRF6V2150NBR1
描述 Trans RF MOSFET N-CH 110V 5Pin TO-272W T/R晶体管, 射频FET, 110 V, 450 MHz, 10 MHz, TO-270WB晶体管, 射频FET, 110 V, 150 W, 10 MHz, 450 MHz, TO-272
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 晶体管MOS管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Flange
引脚数 4 5 5
封装 TO-272 TO-270 TO-272
频率 220 MHz 220 MHz 220 MHz
额定电流 2.5 mA 2.5 mA 2.5 mA
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free
针脚数 - 4 4
耗散功率 - 150 W 150 W
漏源极电压(Vds) 110 V 110 V 110 V
漏源击穿电压 - 110V (min) 110V (min)
连续漏极电流(Ids) - 2.50 mA 2.50 mA
输出功率 150 W 150 W 150 W
增益 25 dB 25 dB 25 dB
测试电流 450 mA 450 mA 450 mA
输入电容(Ciss) 163pF @50V(Vds) 163pF @50V(Vds) 163pF @50V(Vds)
工作温度(Max) 225 ℃ 150 ℃ 225 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
额定电压 110 V 110 V 110 V
电源电压 - 50 V 50 V
极性 N-Channel - -
封装 TO-272 TO-270 TO-272
工作温度 - -65℃ ~ 225℃ -65℃ ~ 225℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99