对比图
描述 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 --
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-18 TO-18
耗散功率 0.5 W 0.5 W
工作温度(Max) 175 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 500 mW 500 mW
极性 - NPN
击穿电压(集电极-发射极) - 30 V
集电极最大允许电流 - 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) - 40 @150mA, 10V
额定功率(Max) - 500 mW
封装 TO-18 TO-18
材质 Silicon Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Bag Bag
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead
ECCN代码 - EAR99