IRFR110PBF和IRFR110TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR110PBF IRFR110TRPBF IRFU110PBF

描述 N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay SemiconductorN 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay SemiconductorVISHAY  IRFU110PBF.  场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 4.3A, IPAK

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-252 TO-252 TO-251

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.54 Ω 0.54 Ω 0.54 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 25 W 25 W 25 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 4.30 A 4.30 A 4.30 A

上升时间 16.0 ns 16 ns 16 ns

输入电容(Ciss) 180pF @25V(Vds) 180pF @25V(Vds) 180pF @25V(Vds)

下降时间 - 9.4 ns 9.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5 W 25 W 25000 mW

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 4.70 A - -

额定功率 25 W - -

输入电容 180pF @25V - -

漏源击穿电压 100 V - -

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 2.38 mm

高度 2.39 mm 2.38 mm 6.22 mm

封装 TO-252 TO-252 TO-251

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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