MMUN2131LT1G和MMUN2132LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMUN2131LT1G MMUN2132LT1G MMUN2131LT1

描述 数字晶体管( BRT ) R1 = 2.2千欧, R2 = 2.2 K· Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kON SEMICONDUCTOR  MMUN2132LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-23PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -

额定电流 -100 mA -100 mA -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

极性 PNP PNP -

耗散功率 246 mW 0.4 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) 8 @5mA, 10V 15 @5mA, 10V -

额定功率(Max) 246 mW 246 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 400 mW 400 mW -

最大电流放大倍数(hFE) 8 - -

长度 2.9 mm 2.9 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

高度 0.94 mm 0.94 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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