对比图
型号 IRF7832TR IRF7832TRPBF NTMFS4935NT1G
描述 SOIC N-CH 30V 20AINFINEON IRF7832TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 2.32 VN 通道功率 MOSFET，30V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 20.0 A - -
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 48 W
产品系列 IRF7832 - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20A -
上升时间 12.3 ns 6.7 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 4310pF @15V(Vds) 4310pF @15V(Vds) 4850pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 930mW (Ta), 48W (Tc)
额定功率 - 2.5 W -
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 - 0.0031 Ω 0.0027 Ω
阈值电压 - 2.32 V 1.63 V
输入电容 - 4310 pF -
正向电压(Max) - 1 V -
额定功率(Max) - 2.5 W 930 mW
下降时间 - 13 ns 6.6 ns
工作温度(Max) - 155 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
通道数 - - 1
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm 5.1 mm
宽度 - 4 mm 6.1 mm
高度 - 1.5 mm 1.1 mm
工作温度 -55℃ ~ 155℃ (TJ) -55℃ ~ 155℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2016/06/20
REACH SVHC标准 - - No SVHC