对比图
型号 BC856BWT1 BC856BWT1G BC856BW,135
描述 通用晶体管( PNP硅) General Purpose Transistors(PNP Silicon)ON SEMICONDUCTOR BC856BWT1G 单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFESC-70 PNP 65V 0.1A
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SC-70-3 SC-70-3 SOT-323-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) -65.0 V -65.0 V -
额定电流 -100 mA -100 mA -
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 150 mW 150 mW 0.2 W
击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 220 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
频率 - 100 MHz 100 MHz
最大电流放大倍数(hFE) - - 220 @2mA, 5V
额定功率(Max) - 150 mW 200 mW
耗散功率(Max) - 150 mW 200 mW
针脚数 - 3 -
直流电流增益(hFE) - 150 -
长度 2.1 mm 2.2 mm -
宽度 1.24 mm 1.35 mm -
高度 0.85 mm 0.9 mm -
封装 SC-70-3 SC-70-3 SOT-323-3
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
ECCN代码 - EAR99 -