对比图
型号 IRFR1N60ATRPBF STD1NK60T4
描述 功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STD1NK60T4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 36 W 30 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 1.40 A 1.00 A
上升时间 14 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 229pF @25V(Vds) 156pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 36 W 30 W
下降时间 20 ns 25 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 36 W 30W (Tc)
额定电压(DC) - 600 V
额定电流 - 1.00 A
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 8 Ω
阈值电压 - 3 V
漏源击穿电压 - 600 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V
长度 6.73 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm
高度 2.38 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99