IRF8736PBF和STS17NH3LL

对比图

型号 IRF8736PBF STS17NH3LL FDS8690

描述 INFINEON  IRF8736PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1.8 VN沟道30V - 0.004ohm - 17A - SO-8的STripFET功率MOSFET用于DC-DC转换 N-channel 30V - 0.004OHM - 17A - SO-8 STripFET Power MOSFET for DC-DC conversionFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8690  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.6 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 2.5 W - -

通道数 1 - -

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.0048 Ω 0.004 Ω 0.0063 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.7 W 2.5 W

阈值电压 1.8 V 1 V 1.6 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 18A 17.0 A 14.0 A

上升时间 15 ns 65 ns -

正向电压(Max) 1 V - -

输入电容(Ciss) 2315pF @15V(Vds) 1810pF @25V(Vds) 1680pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.7 W 1 W

下降时间 7.5 ns 20 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.7W (Tc) 2.5W (Ta)

漏源击穿电压 - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 17.0 A -

输入电容 - 1.81 nF -

栅电荷 - 24.0 nC -

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99