对比图
型号 MMBTA56LT1HTSA1 SMBTA56E6433HTMA1 SMMBTA56LT1G
描述 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3Infineon SMBTA56E6433HTMA1 , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=80 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装PNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 100 MHz - 50 MHz
针脚数 - - 3
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 0.33 W - 225 mW
增益频宽积 - - 50 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V 100
额定功率(Max) 330 mW 330 mW 225 mW
直流电流增益(hFE) - - 100
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 330 mW 330 mW 225 mW
额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -
额定电流 -800 mA -500 mA -
长度 - 2.9 mm 3.04 mm
宽度 - 1.3 mm 2.64 mm
高度 - 0.9 mm 1.11 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Last Time Buy Not For New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99