对比图
描述 INFINEON BSL211SP L6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -20 V, 0.054 ohm, -4.5 V, -900 mVON SEMICONDUCTOR NTGS3443T1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.1 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -950 mV
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 TSOP-6 SOT-23-6
额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V
额定电流 -4.70 A -2.00 A
针脚数 6 6
漏源极电阻 0.054 Ω 0.058 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 2 W 2 W
输入电容 654 pF 565 pF
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
栅源击穿电压 - ±12.0 V
连续漏极电流(Ids) 4.70 A 2.00 A
上升时间 13.9 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 654pF @15V(Vds) 565pF @5V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 500 mW
下降时间 23.3 ns 50 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 500mW (Ta)
栅电荷 12.4 nC -
长度 3 mm 3.1 mm
高度 1.1 mm 1 mm
封装 TSOP-6 SOT-23-6
宽度 1.5 mm -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 - Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20
ECCN代码 - EAR99
香港进出口证 NLR -