IRF7105TRPBF和IRF7509PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7105TRPBF IRF7509PBF IRF7105QTRPBF

描述 INFINEON  IRF7105TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.5 A, 25 V, 0.083 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  IRF7509PBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.7 A, 30 V, 110 mohm, 10 V, 1 VSOIC N+P 25V 3.5A/2.3A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管晶体管

基础参数对比

封装 SOIC-8 µSOIC SOIC-8

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 - 8

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.083 Ω 110 mΩ -

极性 N-Channel, P-Channel N+P N+P

耗散功率 2 W 1.25 W -

阈值电压 3 V 1 V -

漏源极电压(Vds) 25 V 30 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 3.5A/2.3A 2.7A/2A 3.5A/2.3A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

输入电容(Ciss) 330pF @15V(Vds) - 330pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W - 2 W

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W - 2000 mW

额定功率 2 W - -

封装 SOIC-8 µSOIC SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

含铅标准 Lead Free - Lead Free

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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