对比图
描述 PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP SiliconPNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 -
封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3
频率 - 280 MHz -
额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -80.0 V
额定电流 -100 mA -100 mA -1.00 A
极性 - PNP -
耗散功率 - 350 mW -
增益频宽积 - 280 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 80 V
集电极最大允许电流 - 0.1A -
最小电流放大倍数(hFE) 180 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 50 @250mA, 1V
额定功率(Max) 500 mW 350 mW 1 W
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 350 mW -
长度 - 5.2 mm -
宽度 - 4.19 mm -
高度 - 5.33 mm -
封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3
材质 - Silicon -
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99