对比图
型号 2N3585 JANTXV2N5664 2N3583
描述 NTE ELECTRONICS 2N3585 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 35 W, 2 A, 40 hFENPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTORNTE ELECTRONICS 2N3583 晶体管, NPN 高电压
数据手册 ---
制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美) NTE Electronics
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 2 3 2
封装 TO-66 TO-66 TO-66
耗散功率 35 W 2.5 W 35 W
击穿电压(集电极-发射极) - 200 V -
最小电流放大倍数(hFE) - 40 @1A, 5V -
额定功率(Max) - 2.5 W -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 2500 mW -
针脚数 2 - 2
极性 NPN - NPN
直流电流增益(hFE) 40 - 40
封装 TO-66 TO-66 TO-66
材质 - Silicon -
工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - -
REACH SVHC标准 No SVHC - -